台积电杀进3nm,向三星开火

2019-10-28
18:25:00
来源: 互联网

      台积电在7纳米、5纳米制程完封三星后,目前更加快3纳米研发,以延续领先地位,不让对手三星有先缝插针抢单的机会,据电子时报报导,台积电3纳米传出提前启动,位于南科30公顷用地,可望提前4个月、预计于今年底即可完成交地,摆明就是冲着三星而来。

 
      报导指出,相较于三星陷入7纳米EUV制程良率困境,台积电7奈米以下制程持续推进,几乎吃下所有晶片大厂订单,而5纳米预计明年第2季量产,目前传出苹果、华为和高通将抢下首波产能。
 
      三星7月底曾宣布将在3纳米制程推出全新「环绕闸极」(Gate-All-Around,GAA)技术,号称超前台积电1年,更赢过英特尔2~3年。
 
      三星推出全新GAA技术的3纳米制程跟当前7纳米相较,可使耗能降低50%,芯片面积缩减45%,效能提高35%,预计2021年正式量产;而台积电也持续加快3纳米技术研发,预计2021年进行试产、2022年量产,至于3纳米技术细节并未披露。

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