新增8000研发,200亿美元,台积电强攻3nm

2019-11-01
14:00:11
来源: 半导体行业观察


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经济


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台积电董事长刘德音昨(31)日主持台湾半导体产业协会(TSIA)年度论坛结语时透露,台积电会加大研发能量,将于竹科新建研发中心,打造成台湾的贝尔实验室,预计再扩增8,000名研发大军,投入未来二、三十年科技和材料研发及半导体产业的基础研究。


台积电目前在晶圆代工先进制程领先全球,这是刘德音首次针对台积电即将打造的全新研发中心,提出未来研发方针及定位。


业界解读,台积电此举将可更进一步巩固领先地位,狠甩英特尔、三星等劲敌。


台积电过去五年已投资逾500亿美元在技术研发,以台积电打算打造台湾贝尔实验室的计划,预定未来几年仍会投入数百亿美元在新科技和新材料的研发,持续扮演台湾半导体业领头羊。


台积规划新研发中心,基地位于新竹县宝山乡,面积约32.7公顷,已向竹科管理局提出扩建计划,目前全案已进入环评补件阶段,根据台积电之前的资料,整个3nm晶圆厂预计会在2020年正式动工建设,耗资超过4000亿新台币,折合879亿人民币或者130亿美元。





台积电幕僚表示,未来台积电3纳米以下的研发都会在此研发中心进行。


由于摩尔定律逐渐到了物理极限,3nm被认为是最后的一代硅基半导体工艺,因为1nm节点会遭遇严重的干扰。


为了解决这个问题,三星宣布在3nm节点使用GAA环绕栅极晶体管工艺,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。


与三星相比,台积电并没有公布过3nm工艺的具体技术细节,预计也会改用全新结构的晶体管工艺,只不过目前尚无明确消息。


但台积电方面表示,他们 3nm工艺技术研发非常顺利,已经有早期客户参与进来,与台积电一起进行技术定义,3nm将在未来进一步深化台积电的领导地位。


目前,3nm工艺仍在早期研发阶段,台积电也没有给出任何技术细节,以及性能、功耗指标,比如相比5nm工艺能提升多少,只是说3nm将是一个全新的工艺节点,而不是5nm的改进版。


台积电只是说,已经评估了3nm工艺所有可能的晶体管结构设计,并与客户一起得到了非常好的解决方案,具体规范正在进一步开发中,公司有信心满足大客户们的所有要求。


台积电此前曾披露,计划在2022年就量产3nm工艺。


台积电追求技术自主,这几年持续扩大研发规模,经费逐年提高,去年研发经费已占营收的8%,约达858.95亿元新高,较前年的807.32亿元增加,也超越台湾半导体业界,今年占比估为8.6%,金额站上千亿元,再写新猷。

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