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赵伟国:中国存储芯片产业自主发展的紫光之路

Byadmin

Oct 25, 2021
2018-04-14
14:00:51
来源: 官方微信



来源:内容由 国君电子 王聪/张天闻 整理,谢谢。

紫光进入3D NAND存储芯片的原因有以下几点。

首先存储是兵家必争之地,从历史来看,日韩的集成电路产业都是从存储开始的。其次存储市场规模大,去年增长20%,

主要由存储芯片的高速增长尤其是价格增长导致,下游价格上涨是由供应不足与需求增长导致,移动互联的发展和数据中心的增加使存储需求日益旺盛,其中DRAM价格上涨较多,主要是近年手机扩容使其需求增加所致。另外,

与CPU不同,存储是标准产品,一旦技术实现突破便容易进入市场

而3D NAND增长又高于DRAM。最后,

从时间差距上,不同于DRAM,3D NAND至今发展历史很短,实现追赶相对容易。




我一直强调存储芯片产业的四个特点:资本密集、人才密集、技术密集、全球竞争。

紫光是如何做得呢?

一是借鉴其他企业的历史,

看三星、东芝、美光、海力士这些公司的成长历史,寻求其发展过程中的规律和关键因素。如何让市场、资本、人才三要素聚集起来?

可以总结为三句话,国家战略推动,各地政府大力支持,企业市场化运行,

这一思路获得了中央和地方政府的高度支持。有了思路如何解决人才来源?产业、技术都与人有关,

紫光目前有高启全,杨士宁,和最近加入的来自美光的科学家汤强。

2015年时决定存储要做3D NAND,业内做DRAM的只有3家,三星、海力士、美光,近年中国科技崛起后,美国、日本、韩国的一些技术公司对华人任职核心技术岗表现出敏感甚至排斥,为国内企业提供了人才替代机会,紫光让英雄有用武之地。

技术来源方面,中科院微电子所和国家重大专项对紫光3D NAND研发给予了大力支持,另外,武汉新芯的技术和海外人才团队积累带动了长江存储的发展。

通过在武汉和南京江北新区和程度筹划基地,三个基地投入资金约1800亿,另外与重庆市、国家大基金共同发起紫光国芯集成电路股份有限公司,注册资本1000亿,在此基础上有望再撬动900亿元,

合计3700亿,足以保证未来5年投入,

而要想进入占全球份额五分之一到四分之一的第一梯队,每年需要投入100亿美元。目前较有把握在10年内完成1000千亿美元的资本积累。由于在研发过程中要不断与下游进行测试

在15年已规划好初期市场――紫光展锐和紫光H3C,

紫光展锐致力于移动通信与物联网领域芯片,紫光H3C从事云服务和数据中心,具备初期市场是紫光研发进展快、市场竞争力强的原因。

最后,要有冷静的战略心态和顽强的战略耐力,腿要快,心要静,眼要明,争取五年有所成就,十年站稳脚跟。


今天是《半导体行业观察》为您分享的第1557期内容,欢迎关注。


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