​台积电5nm进度加快,良率已达40%

2019-11-30
14:00:18
来源: 半导体行业观察


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晶圆代工龙头台积电5纳米制程明年将量产,已进入风险试产阶段,美系外资指出,目前5纳米制程良率约35-40%,以同时间来看,表现已优于7奈米,可望在明年7月量产;


外资也看好,在英伟达GPU、5G RF芯片与AirPods芯片需求强劲下,台积电12/16纳米制程仍将持续满载。


外资指出,英伟达新推出的中低阶应用图灵(Turing) GPU,采用台积电12 纳米制程,而海思用于5G 手机的RF 混合讯号芯片、苹果AirPods 2 与AirPods Pro 的H1 芯片,均采用16 纳米制程,在需求强劲下,明年AirPods 整体出货可望超过1.1 亿套,在英伟达GPU、5G RF 芯片与AirPods 芯片需求推升下,外资看好,台积电12/16 纳米制程仍会持续满载。


台积电5 纳米制程明年将量产,南科18 厂一期目前正在进行装机作业,明年第2 季月产能可望达5.5 万片。


外资表示,据供应链消息指出,台积电目前5 纳米良率约35-40%,表现优于7 纳米制程初期,且明年上半年良率将持续拉升,并于7 月进入量产阶段,外资并预估,18 厂二期5.5 万片产能,将在2021 年上半年就绪。


台积电对5纳米发展深具信心,在日前法说会上,总裁魏哲家也说,看好5纳米将会有很好的表现,并取得很高的市占率。


而台积电也因此上调今年资本支出至140至150亿美元,增加高达40亿美元,增幅高达4成,除超过外资预期,也创台积电资本支出新高纪录。


在此次增加的40亿美元资本支出中,其中25亿美元将用于5纳米制程,台积电强调,在与客户紧密合作、沟通后,发现需求相当强劲,因此决定扩增5纳米投资,这25亿美元资本支出将在明年第2、3季陆续投产,另外15亿美元则用于7纳米制程。

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