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研发高耐压、低成本6吋复合晶圆 竹科成果亮眼

Byadmin

Oct 25, 2021
2018-07-24
14:00:49
来源: 老杳吧

在竹科管理局106年度科学园区研发精进产学合作计划的支持下,环球晶圆、交大光电工程研究所教授郭浩中、国家纳米元件实验室(NDL)共同合作,发展具优良动态特性的6吋复合晶圆高耐压E-mode GaN on Novel SOI HEMT技术,开发品质更佳、成本更低、产能倍增的前瞻性产品,加速化合物半导体发展。
竹科管理局表示,这次计划完成高阻晶体生长,并以AlN为绝缘层,搭配高强度基板作为Handle wafer,完成开发高强度、高绝缘特性与散热佳的新型SOI(AlN)基板;另外,也运用磊晶应力调整技术,磊晶后,基板bow
并且结合低损伤蚀刻制程,导入电浆表面处理及新式闸极介电层,成功克服闸极掘入式制程E-mode元件闸极漏电的难题,其动态特性有明显的改善,开启电阻的变化率减少至7.67%。
环球晶圆为世界前三大半导体矽晶圆材料供应商,也是世界唯一同时具有矽基板相关技术与氮化镓磊晶技术之公司。借由矽基板与氮化镓磊晶技术创新与垂直整合,除具有成本优势外,也能增加台湾在氮化镓元件之技术能力与竞争力。
竹科管理局表示,合作计划目的,为激励园区厂商与学界共同投入“产业异质整合”与“关键技术”研究开发,促进就业与衍生产业群聚综效的双赢局面,强调补助研究发展的范围涵盖园区各产业领域皆可提出申请,同时也结合科技部推动人工智慧(AI)政策,鼓励跨领域技术整合与科技部前期科研成果媒合,强化推动学术创意商品化期程。

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