​SK海力士将带来全球首个4D NAND产品

2019-12-30
14:01:22
来源: 半导体行业观察


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半导体行业观察综合




据快科技报道,SK海力士准备好了两款新的SSD,一个是Gold P31,另一个则是Platinum P31,都采用PCIe形态,并支持NVMe。





二者的最大亮点就是会采用SK海力士最新的128层堆叠4D TLC NAND闪存,六个月前才刚刚投入量产,是目前世界上堆叠密度、容量密度最高的NAND闪存颗粒,单颗芯片容量1Tb(128GB),集成超过3600亿个闪存单元。


其实所谓4D闪存,也就是SK海力士为了宣传起的新名字,本质上还是3D闪存,只不过单芯片采用四层架构设计,结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术,后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞,有助于缩小芯片面积。


根据外电报导,SK 海力士早就在2019 年6 月份就宣布正式量产128 层堆叠的4D NAND Flash,成为全球首家量产128 层NAND Flash 的记忆体厂商,不过SK 海力士的这个4D NAND Flash 基本上其实也是3D NAND Flash 架构,只是把过去3D NAND Flash Cell 单元的PUC(Peri Under Cell)电路,从之前的位置迁移到底部,所以称之为4D NAND Flash。


因此,本质上其实还是3D NAND Flash,取名4D NAND Flash 似乎只是为了比较好行销。


而当前SK 海力士所宣布,公司于上个月正式向客户交货的128 层堆叠4D NAND Flash 的工程样品,全部都是TB 容量等级的高密度解决方案,包括手机所用的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash ,消费等级的2TB SSD、以及企业级的16TB E1.L 规格SSD。


SK 海力士宣称,其新推出的128 层堆叠4D NAND Flash 的单颗容量为1TB 大小。


所以,未来可以做到很大的容量,是业界储存密度最高的TLC NAND Flash。


报导表示,现在1TB 储存空间的手机,通常需要使用两颗512GB 的UFS NAND Flash,在SK 海力士的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash 正式出货后,手机使用NAND Flash 的数量就会减少一半,节省更多的手机主机板空间。


再加上SK 海力士这颗1TB 的4D NAND Flash 封装厚度仅1mm,是未来超薄5G 手机的绝佳选择,预计搭配这款4D NAND Flash 的手机有望在2020 年下半年量产,而搭载128层堆叠4D NAND Flash 的2TB 消费级SSD,以及16TB 的E1.L 规格的企业级SSD 也预计会在2020 年下半年量产。




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