​美光1Z工艺的DDR5,芯片明年量产

2020-01-08
14:00:17
来源: 半导体行业观察


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就在当前CES 2020 热闹举行的当下,包括AMD与英特尔两家处理器大厂都将在会场中发表全新一代的处理器,虽然这些处理器预估还是会支持DDR4 记忆体,但是面对传输量越来越大,必须拥有越来越快传输速度记忆体的当下,下一代DDR5 记忆体也已经开始准备量产。根据外电报导,美商记忆体大厂美光(Micron) 于7 日正式宣布,将开始向客户出样最新的DDR5 记忆体,以第3 代的10 纳米级1z 纳米制程来打造,其性能提升了85%。





报导指出,美光表示相较DDR4 记忆体,DDR5 标准性能更强,功耗更低,起步频率至少4800MHz,最高6400MHz。而其他的性能提升还包括电压从1.2V 降低到1.1V,同时每通道32/40 位(ECC)、汇流排效率提高、增加预取的Bank Group 数量等。





而美光现在出样的DDR5 记忆体是使用了最新的1z 纳米制程,大概是12 到14 纳米节点之间,ECC DIMM 规格,频率DDR5-4800,比现在的DDR4-3200 记忆体性能提升了87% 左右。不过,距离DDR5-6400 的效能还有点距离,后期还有持续提升的空间。




​美光1Z工艺的DDR5,芯片明年量产


而对于新一代的DDR5 记忆体来说,平台的支持才是最大的问题。而因为目前还没有正式支持DDR5 记忆体的平台,因此市场上要购买到内建DDR5 记忆体的产品则还要等上一段时间。其中,AMD 预计将会在2021 年的Zen4 架构处理器上更换介面,开始支持DDR5 记忆体。而AMD 的竞争对手英特尔则是在14 纳米及10 纳米制程的处理器上,目前都没有明确规划支持DDR5 记忆体。根据英特尔官方路线图显示,预计要到2021 年的7 纳米制程处理器Sapphire Rapids 上才会开始支持DDR5,而且还是以伺服器处理器为主,消费级的处理器产品预计还要再晚一些时间。


​美光1Z工艺的DDR5,芯片明年量产


另外,根据美光之前的说法,目前美光正在生产第2 代10 纳米级1y 纳米制程技术的12 Gb LPDDR4X 以及16 Gb DDR4 记忆体。而在未来客户针对DDR5 记忆体试样完成后,将会开始准备1z 纳米的产线来开始生产。不过,对于1z 纳米产业的生产,美光线在尚未决定是否导入EUV 极紫外光科设备来协助生产。目前,美光的竞争对手三星已经在1z 纳米制程中导入EUV 设备来协助生产。


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