​台湾企业招兵再攻DRAM市场,目标10nm

2020-01-20
14:00:11
来源: 半导体行业观察


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经济日报


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DRAM大厂南亚科冲刺10 纳米制程自主研发,以及DRAM和逻辑元件异构芯片整合能力,今年决定再扩大征才近200人,增幅逾二成,将整体研发大军扩编至千人规模,相关征才作业已紧锣密鼓进行。



南亚科是继美光宣布在台扩大招募人才后,又一家DRAM大厂看好DRAM在第五代移动通讯(5G)和人工智能(AI)快速发展下,带动各项边缘运算应用增加,加入抢人才行列。



南亚科总经理李培瑛昨(19)日接受采访时表示,南亚科今年正式迈入自主研发10纳米技术试产,扩编研发阵容是必要之策。


他坦承,台积电大幅提高资本支出、吸纳人才,加上对岸重新启动来台挖角,南亚科这波征才可能会面临不小的压力。



不过,李培瑛强调,南亚科近年大幅提升员工福利,也针对菁英人员祭出优渥留才措施,加上这几年在市场、客户和产品组合布局,都有良好成效。


尽管DRAM产业景气波动快速,但生产绩效、营业利益,和南韩三星、SK海力士等相差不远,获利稳定,预料会吸引不少优秀人才,加入抢食下波庞大智能化商机行列。



李培瑛表示,南亚科早在三年前就决定自主研发10纳米,时间点也就是在与美光敲定全数处分华亚科股权给美光之后,虽然当时南亚科拿到价值数百亿元的美光股票和现金,也保留可以选择在1x纳米向美光授权的交换条件,但在考量技术自主下,就开始投入10纳米研发,经历三年时间,在成功产出1A制品后,今年元月初正式通知美光,将自主研发。



李培瑛说,南亚科的10纳米分成A、B、C三个世代,这个制程和美光原本的20纳米相比,就是南亚科采用的记忆储存单元(Cell)可进行微缩, 因此可由1A逐步推进至1B再到1C。



其中,1A已预定今年下半年试产,1B制程技术也开始研发阶段,预计2022年前导入试产,后续会开发第三代1C制程技术。

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