DRAM价格进一步大跌,有厂商大砍50%支出

2019-01-16
14:00:21
来源: 半导体行业观察

根据集邦科技记忆体储存研究DRAMeXchange调查,2018年12月正值欧美年节时期,DRAM成交量清淡,因此不列入合约价计算,代表12月份合约价与11月份大致持平,主流模组8GB DDR4模组均价仍在60美元,而4GB DDR4模组均价约在30美元水位,但两种模组的最低价分别已跌破60美元及30美元关卡。集邦预期下游模组厂恐面临更严峻的考验。

2019年第一季合约价已于去年12月开始议定,综合库存过高、需求比原先预估更为疲弱、以及短中期经济展望不明朗等因素,买卖双方已有8GB DDR4模组均价降至55美元或更低的共识,预期1月份合约价将较上一个月份下跌至少10%,而且2月及3月持续下探的可能性极高。整体来看,第一季价格跌幅将由原先预估较前一季衰退15%扩大到近20%,尤其以伺服器DRAM的下修最为明显。

目前DRAM市场最大问题并非供给端的增加,而是需求端在2018年第四季提前进入淡季,使得库存攀升问题提早浮现。以2018年第四季来看,所有供应商当中以美光降价幅度最大,因此部分偏高的库存水位得以适时去化。而韩系DRAM厂因为降价幅度较小,导致出货量萎缩,库存持续累积至2019年第一季将相当可观。

集邦表示,短期之内,供给位元成长(supply bit growth)将持续大于销售位元成长(sales bit growth),库存水位的不断上升,成为价格的最大压力。预期自2018年第四季开始的DRAM价格跌势恐怕将延续四个季度以上。

虽然DRAM价格自2018年下半年开始走跌,但由于产业集中度高,削价竞争只会侵蚀目前丰厚的获利,因此,2019年包括三星、SK海力士、美光等三大厂传出计划减少资本支出,以稳定DRAM价格并平衡市场供需环境。

值得注意的是,上游DRAM原厂享有高毛利,但下游的记忆体模组厂与客户的获利空间却遭到压缩,整体DRAM产业获利表现在2018年呈现上肥下瘦。

2017年因DRAM价格在短期大幅上涨,模组厂受惠于手中持有的低价库存得以转为实际获利,大多数模组厂获利表现相当优异。但从2018年开始,DRAM价格已处于高档水位,颗粒价差获利空间变小,模组厂仅能从加工费用中获利,加上DRAM价格于下半年开始下跌,下游模组厂手上持有的库存损失则拖累获利,不少下游厂商2018年的实际获利较前一年相比仅剩一成水准,甚至开始亏损,预期2019年将面临更严峻的考验。

南亚科资本支出大砍5成

由于今年以来DRAM市况明显不佳,在供过于求情况下价格走跌,包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM厂已陆续宣布降低今年资本支出消息,而DRAM厂南亚科15日也决定大砍今年资本支出。

南亚科总经理李培瑛表示,2018年资本支出已经较原本预期金额下修15%至204亿元,2019年资本支出会更加保守,预期会较去年减少5成至100亿元左右。

DRAM厂近期陆续宣布放缓今年投资计划。根据集邦科技统计,三星电子今年DRAM投资金额降至80亿美元,主要用于1y纳米制程推进及新产品开发,投片计划是近年来最保守的一年,并传出终止平泽厂Line 18扩产计划。SK海力士也将今年DRAM投资金额降至55亿美元,主要用于新制程转进及良率提升。美光则下修今年资本支出至30亿美元左右,今年产能位元成长率目标由原本预估的近20%下修至15%。

南亚科15日法说会中亦表示将下修今年资本支出,将较去年减少约5成达新台币100亿元。李培瑛表示,预期今年产能位元成长率将达10~15%,与去年的40%相较明显减少。DRAM厂同步降低今年资本支出,主要是要减缓产能过剩压力,并减缓价格下跌速度。

对于今年DRAM市场,李培瑛表示,长期来看仍有稳定的成长动能。以智能手机市来说,去年第四季开始销售情况不如预期,但手机厂为了进行差异化,包括增加多镜头及加入人工智能(AI)功能等,都需要依赖DRAM规格升级,看好今年Android系统旗舰机种搭载容量将提高至10~12GB,预期2020年5G手机正式商转将可刺激移动DRAM成长动能。

李培瑛亦指出,伺服器市场去年第四季及今年第一季均处于短线库存调整,以致需求不佳,但长线仍稳定成长,主要为AI与网路产业的发展可持续带动伺服器的需求。个人电脑部份则受到英特尔处理器缺货,不利于PC出货,预期今年中就可恢复正常供货。

在消费型电子部份,李培瑛认为短期需求是受到美中贸易因素干扰,但包括机上盒、智能音箱、固态硬碟、IP CAM等各种应用,DRAM搭载容量仍维持成长。所以整体来看,今年DRAM市场总体需求仍稳定增加。

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