DARPA增添新项目,旨在用集成电路增强国防能力

2019-02-19
14:00:17
来源: 半导体行业观察

[据军事与航空电子网站2019年02月05日报道]美国军方研究人员将持续开展一项研究项目,该项目将从制造到系统集成层面布局,旨在为可信计算应用开发安全的集成电路技术。

位于美国佛吉尼亚州阿灵顿的美国国防先期研究计划局(DARPA)的官员上周宣布,在 “电子复兴”计划(ERI)框架内新设立“国防应用” (DA)项目,并发布了招标书(HR001119S0018)。该项目是美国国防先期研究计划局(DARPA)“电子复兴”计划(ERI)第二阶段的项目之一。DARPA在去年12月已向工业界简要介绍了该项目。

“国防应用” (DA)项目的目的包括:利用现有技术开发革命性和颠覆性技术以增强美国国防能力,支持其国内安全集成电路制造需求;投资芯片安全领域研究;以“电子复兴”计划为支撑研发用于国防应用的技术。

据美国国防先期研究计划局(DARPA)官员讲,他们希望能够促进各组织之间的合作,使电子创新迅速融入军事硬件开发领域。美国国防先期研究计划局(DARPA)正在寻找全新途径来开展美国现有或新兴的军事项目研究。预计总投入资金在3500万美元到5000万美元之间。

“国防应用” (DA)项目建立在现有“电子复兴”计划的基础上,通过完善美国国内半导体制造流程,推动国防电子系统集成商加速专用集成电路研发。应用领域主要包括:机器自动化和人工智能;大规模仿真;网络安全;空间应用程序;认知电子战;情报、监视和侦察(ISR)。

“电子复兴计划:国防应用” (ERI:DA)项目主要包括三个执行要求,每一个都需要在国防、商业和学术界之间建立恰当的合作伙伴关系。

第一,要在一个或多个“电子复兴计划”(ERI)项目执行者和可交付军事技术的组织之间建立伙伴关系,直接开发“电子复兴”计划技术,提案必须确定符合“电子复兴”计划要求的规划、所有合作伙伴的情况以及在现有或计划的军事系统中的实施途径。

第二,要与未与“电子复兴”计划项目建立关系的公司确定合作伙伴关系,使其在具有明确防御能力的前提下,开发和使用“电子复兴计划”(ERI)技术。

第三,针对基础设施建设领域,如在设备和人员等方面,加强和促进国防工业界、政府、“电子复兴”计划项目参与者和其他科学技术组织之间的合作。

这些执行要求应适用于现有“电子复兴”计划项目,涉及材料和集成、电路设计、系统架构三大领域的项目。

目前,应用于材料和集成领域的项目为:“通用异构集成与知识产权再利用策略”(CHIPS)项目;“三维单芯片系统”(3DSoC)项目;“新式计算基础需求”(FRANC)项目。

应用于电路设计领域的项目包括:“实现快速的集成电路”(CRAFT)项目;“电子设备智能设计”(IDEA)项目;“高端开源硬件”(POSH)项目。

应用于系统架构领域的项目包括:“软件定义硬件”(SDH)项目;“特定领域片上系统”(DSSoC)项目。以及用于基础性研究的包括“联合大学微电子计划”(JUMP)项目。

2017年6月,美国国防先期研究计划局(DARPA)正式开启了电子复兴计划的第一阶段研究,总支出超过15亿美元,以提升微电子技术能力,超越传统晶体管缩放极限的限制,同时指出了该计划对于美国国防的影响。2018年7月,美国国防先期研究计划局(DARPA)启动了“电子复兴”计划首批六个项目。

原创文章,作者:admin,如若转载,请注明出处:http://www.eefans.com/archives/2038

发表评论

您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注