SK海力士投千亿美元建四座晶圆厂

2019-02-22
14:00:21
来源: 半导体行业观察

周三,南韩记忆体大厂海力士(SK Hynix)宣布,将计划在2022年之后的十年之内斥资120兆韩圜,于南韩龙仁市建造四座半导体工厂,海力士发言人表示,目前规划龙仁市新厂主要产品将是次世代的储存记忆体及DRAM芯片。

目前海力士已经递交了投资意向书,而该项投资计划约占地450 万平方公尺,估计未来共有50 家半导体材料商、设备商等都将进驻该区,进而打造成全球最大的半导体聚落。

海力士指出,也将在未来十年内,继续投资现有的两座南韩利川、清川半导体厂共55兆韩圜,扩大产能,但中国无锡厂则是尚未决定是否扩厂。

海力士发言人表示,本次计划是海力士长达十年的投资规划,未来策略可能视市场状况改变,但现行目标为新厂将生产DRAM 记忆体和次世代记忆体。

南韩券商Mirae Asset Daewoo 分析师亦分析,虽然目前来自自驾车的芯片需求仍不足,但估计在未来十年间,自驾车芯片市场需求将大幅成长,可望为海力士创造更多的记忆体芯片需求。

SK海力士投千亿美元建四座晶圆厂

全球DRAM 品牌厂市占率(以营收排名) 图片来源:DRAMeXchange

中、韩的半导体竞争

近年来,中国在半导体大基金的筹资带动下,早已介入进半导体记忆体领域,虽然目前全球记忆体产业仍以三星电子、海力士二大巨头为首,但据2018 年南韩产业技术振兴院发布( KIAT) 的报告显示,虽然中国半导体技术仍然落后,但中国已可以透过30、40 奈米技术,生产非伺服器或行动记忆体芯片。

南韩产业技术振兴院该份报告并指出,若中国自产的DRAM、NAND Flash记忆体开始逐步量产进入市场,那么估计将冲击韩国记忆体产业78亿美元,其中冲击DRAM产业67亿美元、NAND Flash产业11亿美元。

据南韩媒体《DDaily》去年11 月报导,目前中国长江存储在NAND Flash 技术上已经获得突破,估计在2019 年Q4 即能够量产64 层堆叠的3D NAND Flash 快闪记忆体,但预计量产规模不会太大,因长江存储的最终目的,是希望在2020 年跳过96 层堆叠技术,快速切入128 层堆叠3D NAND Flash 快闪记忆体量产。

面对中国来势汹汹的进攻,市场分析,由于这次中国受到美国政府针对《中国制造2025》的「科技禁售令」打压,例如将中国福建晋华列入出口管制清单,「禁售令」已造成中国DRAM 厂今年的投产计划延后,中国DRAM 在短期内可能很难讨论到量产事宜,而本次韩厂扩大投资,即是希望趁此拉开与中国的技术与产能差距。

南韩海力士的大规模投资,估计将加剧南韩与中国在半导体产业上的军备竞赛,目前南韩是全球最大的半导体记忆体出口国,而中国方面则是全球最大的芯片消费国,中国正极力增加半导体投资,以降低进口依赖程度。

上周南韩财长Hong Nam-ki 亦表示,南韩政府将加速审批相关的半导体投资案,以加快南韩半导体企业的投资进程,预期南韩与中国在记忆体产业上的碰撞,将会越来越激烈。

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