专家:NAND Flash和DRAM价格将持续下滑

2019-05-31
14:00:18
来源: 半导体行业观察



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综合自工商时报和经济时报


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集邦科技记忆体储存研究(DRAMeXchange)表示,今年第一季除了受到传统淡季因素影响外,智能手机及伺服器OEM厂从去年第四季便因需求疲弱而开始调节库存,进一步使得各项产品的位元出货量表现均呈现衰退,导致整体NAND Flash的合约价跌幅来到去年第一季以来最剧烈的一季。而第一季NAND Flash品牌厂营收季减约23.8%。


根据集邦资料,今年第一季eMMC/UFS(嵌入式储存)、Client SSD(消费性固态硬盘)、Enterprise SSD(企业用固态硬盘)合约价分别下跌15~20%、17~31% 、及26~32%,而在TLC规格NAND晶圆产品合约价跌幅虽有收敛,但季度跌幅仍达19~28%。展望第二季表现,尽管包含智能手机、笔记型电脑、伺服器在内的主要需求都将有所回升,但仍不足以消弭库存压力,供应商在库存压力未除前,无法遏止合约价走跌态势。


三星电子第一季仍能保持5%左右的位元成长,这主要来自第一季在高容量UFS销售量高于原先预期,以及在高容量Client SSD的出货比重有较佳表现。此外,三星第一季加大在NAND晶圆市场销售力道,虽然让位元出货增长,但也加深平均销售单价跌幅来到25%左右,第一季NAND Flash相关营收来到32.292亿美元,较上季衰退25.0%。


东芝记忆体同样受到传统淡季冲击,加上苹果在内的智能手机客户仍处库存调整周期,出货表现疲弱,纵使有模组厂帮助出货力道,其位元出货量仍较上季有所衰退,而受各类产品价格跳水影响,平均销售单价则呈现约20%的季跌幅,整体营收约达21.8亿美元,较上季下滑20.2%。


美光科技尽管受到传统淡季与客户盘整需求影响,财务表现相较其他供应商表现杰出,整体营收仅季衰退18.5%达到17.760亿美元,除了财报期间的差异以外,藉由先前在SATA介面Enterprise SSD的成功,美光得以推动客户逐步导入采用64层3D NAND的PCIe SSD产品,在96层产品方面则已推出Client SSD产品供予PC OEM客户,有助其降低NAND晶圆方面销售比重,第一季平均销售单价表现方面衰退近25%,位元销售仍成长8~10%。



专家:DRAM价格也将继续看跌




受美中贸易战、英特尔中央处理器(CPU)缺货、供应链调整,及主要大厂持续消化库存等四大因素干扰,南亚科昨(30)日下修全球DRAM和公司内部今年位元成长预估,并认为本季市况不是很好,价格看跌。第3季能否止跌,「目前仍很难判断」。


南亚科表示,受到多重干扰的影响,全球DRAM位元年增幅由原估年增20%砍至15%,南亚科年增幅由原估15%降至仅个位数百分比。


南亚科董事长吴嘉昭表示,DRAM价格从去年第4季到今年第1季一路走跌,第2季价格还会再下跌,状况不是很好,希望第3季电子业旺季能好起来。


南亚科仍看好DRAM长期发展呈现稳健成长,主因DRAM是所有电子产品关键零组件,由人工智慧(AI)及第五代行动通讯(5G)快速发展,DRAM会是各项智慧化应用必备。


南亚科总经理李培瑛进一步指出,第1季DRAM报价受到传统淡季、原厂库存水位升高、英特尔处理器缺货等因素影响,合约价跌幅超乎预期,本季现货价虽然持续下跌,但南亚科的合约价跌幅并没有现货大,且市况已比第1季好转。


至于第3季价格能否止跌,目前仍难看清楚,主要关键在于美中贸易战变数、主要大厂消化库存,以及市场旺季备货需求强弱。


他分析,从供需面来看,主要大厂近期公布的财报库存水位已经明显去化,而且各厂都朝向缩减资本支出,放缓增产脚步,加上第3季适逢各应用市场旺季来临,而且英特尔的10纳米支援高阶处理器、14纳米支援中低阶处理器下半年产能可到位,伺服器需求提升,下半年DRAM的需求将会比上半好,DRAM跌幅应会收敛。


他预估,第3季会比第2季好,以往南亚科下半年都会比上半年好,若美中贸易协商结果趋向正面,下半年市况备货需求就会比较强,南亚科上、下半年营收差距会比往年明显。

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