半导体无机元素分析论坛现场/各路高手演讲要点(附PPT下载) ​

2020-03-03
19:43:38
来源: Sophie

年前举办的半导体无机元素分析论坛,俨然是半导体制程产品和原材料质控和杂质分析各高手展示“十八般武艺”的秀场。
 
集成电路制造及其上游产品供应链中,杂质含量直接影响半导体产品的“良率”。据统计,约50%次品都和杂质有直接关系。来自化学试剂,高纯气体,硅材料等原材料的无机杂质控制,更是重中之重,甚至工作场所中气体中微量杂质的控制,也不能忽视。而往往集成电路生产厂商期望和制定的化学品的质控标准,其上游供货商也趋之若鹜。
 
这次以“无机杂质分析”为主题的论坛,分享观点的高手包括高纯化学品供应商QC经理,分析测试仪器供应商,半导体无机分析专家等。“良率”高手们分享了哪些观点,我们不妨学习一下。

 

 
 

 

福利大放送:

 

本文末,我们准备了 本次论坛上三篇精彩演讲资料 的下载链接,欢迎大家注册后下载!

 
 

 

半导体制程的严苛要求,推动安捷伦技术革新

 

半导体无机元素分析论坛现场/各路高手演讲要点(附PPT下载)  ​
安捷伦科技 原子光谱R&D 总监 Toshifumi Matsuzaki
 
Toshifumi Matsuzaki 表示,半导体制程的客户越来越严苛的要求,大大推动安捷伦一代代的产品的变革。
 
在《安捷伦ICP-MS半导体元素分析中的创新之路》的演讲中,Toshifumi Matsuzaki  回顾了半导体客户对于仪器稳定性和基体耐受性的核心需求,并表示:从惠普时期开始,安捷伦在ICP-MS产品及半导体无机元素分析领域实现了一次次技术提升,从冷等离子体技术到世界上第一台串接 ICP-MS等等,并始终处于这个领域创新的最前沿。
 
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半导体制程无机元素分析进入“PPQ” 时代

 

来自台湾巴斯夫无机事业部品质管理经理的許卿恆(Jones Hsu)先生,做了名为《亚太地区半导体全新分析技术》的报告。
 
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BASF Taiwan无机事业部 品质管理经理 許卿恆 (Jones Hsu)
 
负责BASF在中国,台湾地区、韩国、新加坡,马来西亚,德国等国家或地区全球实验室的技术开发的Jones Hsu认为,随着半导体制程线宽逐渐变小,对元素杂质检测能力也日益严格。无机杂质控制要求即将进入了PPQ(Part per quadrillion,10 -15 )时代(如:铁元素杂质小于500 PPQ,即表示1克半导体材料中,铁元素杂质含量小于500х 10 -15 克)。
 
为了满足半导体制程客户苛刻要求,巴斯夫作为世界上最大的化学品供应商之一,早已在其质控相关部门最先进杂质检测能力方面做了布局。Jones Hsu 所在的BASF Taiwan 是最早一批满足其先进制程客户要求的PPQ检测能力的化学品供应商实验室。
 
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半导体制程中湿化学品的质控难题

 

安捷伦日本的Katsuo Mizobuchi表示,半导体制程中,为了严格控制湿化学品中无机杂质,需要使用ICP-MS等分析仪器,对其中痕量及超痕量的元素进行检测,包括硫酸,双氧水等无机试剂,以及显影剂,光刻胶等有机试剂。半导体制程中的湿化学品,化学组成非常复杂,通常让痕量元素分析面临诸多困难。
 
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安捷伦日本ICP-MS高级应用科学家
 
Katsuo Mizobuchi专注半导体无机分析领域工作超过了30年。他讲述了半导体领域又一个无机杂质质控难题攻克的故事。将ICP-MS/MS两级质谱的强大质量筛选能力用于反应机理的研究,两级质谱的过滤和扫描功能,可以有效进行低含量氯元素的分析,同时也能清楚的了解干扰物的来源,并且消除干扰的整个过程。
 
Katsuo Mizobuchi也同时简要概述了半导体行业常见化学品的分析难点,以及ICP-MS/MS针对这些难点所展现的具体分析性能。
 
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不可忽视:化学品中纳米颗粒污染造成的次品问题

 

来自安捷伦日本的半导体无机杂质分析专家Yoshinori Shimamura表示,随着半导体制程线宽越来越窄,除了半导体原材料中可溶性污染物外,半导体制造商面临着更新的污染控制课题。一颗几百纳米,甚至几十纳米级别的不溶性颗粒,都有可能造成产品的“缺陷”,从而造成“次品”。而半导体制程中有很多颗粒污染可能的来源,比如不锈钢瓶,过滤装置,试剂瓶等等。
 
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安捷伦日本 半导体行业ICP-MS应用专家 Shimamura Yoshinori
 
针对先进半导体制程客户在控制纳米颗粒污染的需求,Yoshinori Shimamura在《单纳米颗粒ICP-MS 分析的最新趋势》的报告中,介绍了安捷伦与半导体客户开发了利用ICP-MS分析高纯试剂中单纳米颗粒的最近技术进展。包括领先的15 nm级别污染颗粒检测技术:即在较难分析的有机溶剂中稳定检测15 nm的氧化铁纳米颗粒的成功案例,及利用多元素同步分析手段,观察纳米颗粒过滤的效果,和对污染源协助鉴别的能力。
 
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Wafer上“线”之间的颗粒污染造成的 “桥接缺陷( bridging defect)
 
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福利大放送:

 
本文末,我们准备了 本次论坛上三篇精彩演讲资料 的下载链接,
 
《单纳米颗粒ICP-MS 分析的最新趋势》
《利用ICP-MSMS 对有机试剂中氯的分析技巧》
《亚太半导体新分析技术》
 
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