紫光64层NAND FLASH亮相,离三星还有多远?

2019-08-27
21:20:48
来源: 互联网

      在2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称,这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

 
紫光64层NAND FLASH亮相,离三星还有多远?(图片来源:存储在线)
 
      回顾此前的一些消息,2018年,长江存储就公开了发布其突破性技术——XtackingTM。长江存储称,该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能,更高的存储密度,及更短的产品上市周期。当时也有消息显示,长江存储已成功将Xtacking TM技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。
 
      另外,据观察者网之前的报道显示,目前长江存储即将于今年年底量产的64层Xtacking 3D NAND的存储密度仅比竞品96层的3D NAND低10~20%。而下一代,长江存储将直接跳过96层堆叠,直接进入128层堆叠的研发。
 
      按照长江存储这个发展势头来看,它作为3D NAND的新秀的确取得了令人瞩目的成绩。而它距离世界领先水平,还有多远?
 
      在3D NAND市场上,英特尔,镁光,三星,SK海力士、东芝、西部数据一直处于这个领域上的领先地位。在每个供应商都采用不同的方法来扩展3D NAND。 
 
紫光64层NAND FLASH亮相,离三星还有多远?(来源:中国闪存市场)
 
      据semiengineering的消息显示,在价格和竞争的双重压力下,3D NAND供应商们正准备迎接新的战斗,竞争下一代技术。众所周知,3D NAND通过设备中堆叠的层数来量化。随着更多层的添加,位密度增加。据闪存市场的统计显示,从技术方面上看,2019上半年三星、东芝存储器、西部数据、镁光、SK海力士等原厂仍以64层/72层3D NAND生产为主,从下半年开始将向96层3D NAND技术过渡,并积极向下一代100层以上3D NAND技术发展。
 
      下面,让我们一同关注下,这些国际厂商在3D NAND上的一些动态:
 
      SK海力士:6月26日,SK海力士宣布推出业内首款128层TLC 4D NAND Flash,生产效率提高40%,容量为1Tb,而且正在开发下一代176层4D NAND,预计将在2020年底可望投产。据悉,目前Flash原厂主要是集中提高96层3D NAND,SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度,具有超过3600亿个NAND单元,每个NAND单元存储3位元(TLC)。
 
      三星:8月6日,三星宣布推出了首个100+层且单栈(Single-stack)设计的第六代V-NAND,并已开始批量生产基于该技术的250GB SATA SSD,还计划从2020年在韩国平泽工厂扩大第六代V-NAND生产,以确保其在业界的领先地位。三星第六代V-NAND是继其推出90层以上V-NAND后仅13个月所推出的新一代V-NAND。据悉,三星是利用独特的“通道孔蚀刻”技术,新的V-NAND在之前的9x层堆叠结构上增加了大约40%。这是通过建立一个由136层组成的导电模具堆,然后从上到下垂直穿透圆柱形孔,创建统一的三维电荷阱闪光(CTF)单元来实现的。
 
      镁光:镁光去年开始就扩建他们在新加坡的Fab 10工厂,扩展旨在进行新的3D NAND工艺节点转换,并且保持和现在一样的晶圆产量。据悉,新建的无尘工作时能够生产更多堆叠层数,存储密度更大的闪存。据IT之家消息显示,目前新扩展出来的工厂正在进行设备安装,预计今年下半年将投产96层的3D NAND产品。据闪存市场消息显示,镁光第三代96层3D NAND已进入量产,下一代将向128层3D NAND推进,是64+64层的结构,从Floating Gate浮栅向栅极技术(Replacement Gate)过渡,并继续使用阵列下的CMOS架构,未来也将发展至200层堆叠。
 
     东芝&西部数据:3月7日消息,东芝和合作伙伴西部数据日前宣布,已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发,预计商用名会是BiCS-5。据悉,BiCS-5理论容量密度提升约33%,晶片容量为512Gb(64GB),计划2020年到2021年期间商用。性能方面,BiCS-5芯片采用单Die四矩阵技术,写速相较于两矩阵翻番,达到132MB/s。这个速度怎么理解?就是SLC缓存饱和之后的SSD的真实写速。
 
     英特尔:据Anandtech报道,由于闪存市场供过于求,价格不断下跌,英特尔决定今年降低NAND产量。此外在英特尔投资公告上,CEO鲍勃斯万确认了英特尔在未来一段时间不会增大产能。同时因为跟镁光的解约,英特尔将把3D XPoint/傲腾闪存的生产线转移至中国。报导指出,目前英特尔于中国大连的工厂是2010年开始投产,现在专门为英特尔生产3DNAND Flash闪存,之前也曾扩展产能。不过,现在英特尔并不打算继续投入更多钱扩建。相反地,英特尔将专注64层、96层,甚至更高数量的堆栈技术来压低单位生产成本,这也显示英特尔即将研发下一代超过100层堆栈的3DNANDFlash闪存。

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